Đặc Tính Kỹ Thuật
- Sử dụng nhiều công nghệ vượt trội: cảm biến CCD, công nghệ Jet-stream, auto profiling
- Máy quang phổ phân tích hợp kim sử dụng phương pháp quang phổ phát xạ rất phổ biến trong phân tích hợp kim nhờ khả năng phân tích được nguyên tố carbon.
- Bộ nguồn tạo tia lửa điện thế hệ mới của thiết bị đảm bảo khả năng kích thích tối ưu cho nhiều loại hợp kim khác nhau.
- Hệ quang học Multi-CCD độ phân giải cao sử dụng buồng công nghệ Argon cho phép phân tích chính xác cho toàn bộ dải phổ cho tất cả các hợp kim với các nền khác nhau
- Bộ gá kẹp mẫu với kết cấu mở cả 3 chiều, cho phép việc phân tích an toàn, hiệu quả cho các mẫu với hình dạng khác nhau, kể cả có hình dạng bất thường.
- Phần mềm GRADE Database có 12 triệu tên gọi của 339,000 loại vật liệu từ 69 quốc gia và vùng lãnh thổ.
Thông Số Kỹ Thuật
| Tổng quan | |
| Kích thước | 305 mm (1116 mm – Floor Stand Version) x 545 x 660 mm (HxWxD) |
| Nguồn điện | 90-250 VAC (50/60 Hz) |
| Khối lượng | 42 kg (122 kg – Floor Stand Version) |
| Công suất tiêu thụ trung bình | Máy chính 700W |
| Công suất tiêu thụ chế độ chờ | 50W (Công suất nguồn 100W) |
| Khí Argon | |
| Độ tinh khiết | ≥5.0 |
| Áp suất đầu vào | 3 Bar |
| Hệ thống quang học | |
| Hệ quang học | Theo nguyên lý Paschen-Runge Mounting |
| Đường truyền ánh sáng trực tiếp đến buồng quang học. | |
| Dải bước sóng phân tích | 130 – 420nm (mở rộng đến 671nm cho Cu, Na,Li) |
| Cảm biến | Cảm biến Multi-CCD (2048 pixel per chip) với độ phân giải Pixel được tối ưu hóa. |
| Độ tương phản | 1.75 nm/m (1st order) |
| Tiêu cự | 300 mm |
| Holographic grating | 1774 grooves/mm |
| Bộ phát plasma | Kỹ thuật phát tia lửa điện năng lượng cao (HEPS) giúp đốt mẫu tốt hơn |
| Cài đặt các thông số bằng phần mềm | |
| Tần số: 80 – 500 Hz | |
| Điện áp: 250- 500 V | |
| Bộ giá kẹp mẫu | Bộ giá kẹp mẫu với kết cấu mở cả 3 chiều, có thể đặt những mẫu có kích thước khác nhau, kể cả hình dạng bất thường. |
| Kết cấu Jet-Stream-electrode cho thực hiện trên các mẫu nhỏ và mẫu có hình dạng phức tạp. Tối ưu hóa mức tiêu thụ Argon là thấp nhất. | |
| Bàn kẹp mẫu được điều chỉnh đa năng | |
| Nắp chắn có thể thay đổi cho từng loại mẫu khác nhau. | |
| Giới hạn phân tích của 1 số nguyên tố chính | C: 30ppm; Si: 20ppm; P: 20ppm; S:20ppm; Mn:20ppm |
