Đặc Tính Kỹ Thuật
Máy quang phổ phân tích hợp kim FOUNDRY-MASTER Smart được sử dụng trong lĩnh vực phân tích thành phần vật liệu ngày càng nhiều hơn để giám sát thành phần hóa học của các nguyên tố trong kim loại.
Khác với các dòng máy tương tự của các hãng sản xuất khác, thiết bị của hãng Hitachi high-tech sử dụng nhiều công nghệ vượt trội như sử dụng cảm biến CCD, công nghệ Jet- stream, auto profiling…
- Máy quang phổ phân tích hợp kim FOUNDRY-MASTER Smart (FMS) là dòng thiết bị phân tích thành phần kim loại có độ chính xác cao trong phòng thí nghiệm. Máy quang phổ phân tích hợp kim sử dụng phương pháp quang phổ phát xạ rất phổ biến trong phân tích hợp kim nhờ khả năng phân tích được nguyên tố carbon. Bộ nguồn tạo tia lửa điện thế hệ mới của thiết bị đảm bảo khả năng kích thích tối ưu cho nhiều loại hợp kim khác nhau. Hệ quang học Multi-CCD độ phân giải cao sử dụng buồng công nghệ Argon cho phép phân tích chính xác cho toàn bộ dải phổ cho tất cả các hợp kim với các nền khác nhau
- Bộ gá kẹp mẫu với kết cấu mở cả 3 chiều, cho phép việc phân tích an toàn, hiệu quả cho các mẫu với hình dạng khác nhau, kể cả có hình dạng bất thường. Hơn thế nữa máy quang phổ phân tích hợp kim FOUNDRY-MASTER Smart (FMS) sử dụng công nghệ Jet-stream-Technology bao phủ hiệu quả điện cực và mẫu trong giá kẹp mẫu với 1 dòng khí argon, giúp hệ thống đạt được 2 lợi thế:
- Tiêu hao khí argon rất ít, giảm chi phí vận hành xuống mức tối thiểu
- Không cần phải làm kín các mặt hở của giá thử cho phép đặt mẫu phân tích dạng ống, thanh, dây trên giá thử một cách dễ dàng. Việc này cho phép giảm tối đa thời gian chuẩn bị mẫu.
- Phần mềm GRADE Database có 12 triệu tên gọi của 339,000 loại vật liệu từ 69 quốc gia và vùng lãnh thổ.
Ứng Dụng
Kiểm tra thành phần vật liệu trong hợp kim Thép, Thép Cacbon thấp, Inox
Kiểm tra thành phần vật liệu trong hợp kim Đồng, Kẽm, Nhôm, Nickel, Cobalt, Crom, Titanium
Sử dụng trong các nhà máy thép, luyện kim, sản xuất tôn tấm, ống thép, ống thép chịu lực cao, nhà tiền chế…
Thông Số Kỹ Thuật
| Tổng quan | |
| Kích thước | 280 x 415 x 665 mm (HxWxD) |
| Nguồn điện | 90-250 VAC (50/60 Hz) |
| Khối lượng | 35 kg |
| Công suất tiêu thụ trung bình | Máy chính 700W |
| Công suất tiêu thụ chế độ chờ | 50W (Công suất nguồn 100W) |
| Khí Argon | |
| Độ tinh khiết | ≥5.0 |
| Áp suất đầu vào | 3 Bar |
| Hệ thống quang học | |
| Hệ quang học | Theo nguyên lý Paschen-Runge Mounting |
| Đường truyền ánh sáng trực tiếp đến buồng quang học. | |
| Dải bước sóng phân tích | 175 – 420nm (mở rộng đến 671nm cho Cu, Na,Li) |
| Cảm biến | Cảm biến Multi-CCD (2048 pixel per chip) với độ phân giải Pixel được tối ưu hóa. |
| Độ phân giải CCD | 7 pico-meter |
| Độ tương phản | 1.75 nm/m (1st order) |
| Tiêu cự | 300 mm |
| Holographic grating | 1774 grooves/mm |
| Bộ phát plasma | Kỹ thuật phát tia lửa điện năng lượng cao (HEPS) giúp đốt mẫu tốt hơn |
| Cài đặt các thông số bằng phần mềm | |
| Tần số: 80 – 500 Hz | |
| Điện áp: 250- 500 V | |
| Bộ giá kẹp mẫu | Bộ gá kẹp mẫu với kết cấu mở cả 3 chiều, có thể đặt có những mẫu có kích thước |
| Kết cấu Jet-Stream-electrode cho thực hiện trên các mẫu nhỏ và mẫu có hình dạng phức tạp. Tối ưu hóa mức tiêu thụ Argon là thấp nhất. | |
| Bàn kẹp mẫu được điều chỉnh đa năng | |
| Tấm nắp có thể thay đổi cho từng loại mẫu khác nhau. | |
| Giới hạn phân tích của 1 số nguyên tố chính | C: 30ppm; Si: 20ppm; P: 20ppm; S:20ppm; Mn:20ppm |
